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J-GLOBAL ID：200903062506225702
複合材料ウェハの製造方法および使用済みドナー基板のリサイクル方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
山田 行一
, 野田 雅一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006348136
Publication number (International publication number)：2007251129
Application date： Dec. 25, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：
【課題】ドナー基板からハンドル基板へ層を転写するシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハ製造において、得られるドナー基板のリサイクル率を高める製造方法を提供する。【解決手段】初期ドナー基板1に分割エリア7、絶縁層5を形成し、ハンドル基板9に転写した後、ドナー基板1を引き離すことで複合材料ウェハ11を形成する製造方法において、ドナー基板1および/またはドナー基板1の残り13にある酸素析出物および/または原子核を少なくとも部分的に低減するように、1200°C〜1250°Cの温度範囲の急速熱酸化を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
特にシリコン・オン・インシュレータタイプのウェハのような複合材料ウェハを製造するための方法であり、
a)初期ドナー基板(1)を提供するステップと、
b)前記初期ドナー基板(1)上に絶縁層(5)を形成するステップと、
c)前記初期ドナー基板(1)に所定の分割エリア(7)を形成するステップと、
d)前記初期ドナー基板(1)をハンドル基板(9)に付着させるステップと、
e)前記所定の分割エリア(7)で前記ドナー基板(1)を引き離すことで、前記初期ドナー基板(1)の層(15)を前記ハンドル基板(9)に転写して、複合材料ウェハ(11)を形成するステップと、
を備える、前記方法において、
特に溶解によって、前記初期ドナー基板(1)および/または前記ドナー基板(1)の残り(13)にある酸素析出物および/または原子核を少なくとも部分的に低減するように構成された少なくとも1つの熱処理ステップをさらに備えることを特徴とする、方法。
IPC (6)：
H01L 21/02
, H01L 27/12
, H01L 21/316
, H01L 21/762
, H01L 21/322
, H01L 21/26
H01L27/12 B
, H01L21/316 S
, H01L21/76 D
, H01L21/322 Y
, H01L21/26 F
5F032AA91
, 5F032CA09
, 5F032DA21
, 5F032DA33
, 5F032DA53
, 5F032DA60
, 5F032DA71
, 5F032DA74
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF56
, 5F058BF62
, 5F058BH02
, 5F058BJ01
Cited by examiner (5)
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