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J-GLOBAL ID：200903062515267914
化合物半導体素子の作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003422317
Publication number (International publication number)：2005183668
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】窒化物系化合物半導体を均一に制御性良くドーピングして、その導電性をp型もしくはn型化する、化合物半導体素子の作製方法を提供すること。【解決手段】GaN、AlN、InN、またはこれらの混合物であるAlGaN、InGaNなどの窒化物系化合物半導体に、p型もしくはn型の導電性を持たせる手段としてイオンビームを用いてドーピングし、その後、熱処理を施して不純物を活性化させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体素子の材料が窒化物系化合物半導体であり、これらにp型もしくはn型の導電性を持たせる手段としてイオンビームを用いてドーピングすることを特徴とする化合物半導体素子の作製方法。
IPC (1)：
FI (1)：
Patent cited by the Patent：
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