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J-GLOBAL ID：200903062520710052

プラズマCVD装置とこれによる機能性堆積膜の形成方法

Inventor： 岡部 正太郎 ,  藤岡 靖 ,  吉野 豪人 ,  芳里 直 ,  酒井 明 ,  金井 正博 ,  杉山 秀一郎 ,  越前 裕
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992270516
Publication number (International publication number)：1994120144
Application date： Oct. 08, 1992
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】 形成膜中への不純物混入が少なく、高品質なシリコン系機能素子形成を容易にすること。【構成】 電子の電界放射を促進するための放電点火装置を具備するプラズマCVD装置において、放電点火装置を構成する放電促進用の電極がシリコンにて形成されている。

Claim (excerpt)：

電子の電界放射を促進するための放電点火装置を具備するプラズマCVD装置において、放電点火装置を構成する放電促進用の電極がシリコンにて形成されていることを特徴とするプラズマCVD装置。