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J-GLOBAL ID:200903062526521413
半導体表面洗浄剤及び洗浄方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998159893
Publication number (International publication number):1999340182
Application date: May. 25, 1998
Publication date: Dec. 10, 1999
Summary:
【要約】【課題】半導体表面に存在する不純物金属と有機物やパーティクル等を同時に除去することができる表面洗浄剤及びこれを用いた洗浄方法の提供。【解決手段】ホスホン酸系キレート剤1種以上と、オゾン又は/及びフッ素イオンを含んでなる、半導体表面洗浄剤及びこれを用いた洗浄方法。
Claim (excerpt):
ホスホン酸系キレート剤1種以上と、オゾン又は/及びフッ素イオンを含んでなる、半導体表面洗浄剤。
IPC (4):
H01L 21/304 647
, C11D 7/02
, C11D 7/08
, C11D 7/36
FI (4):
H01L 21/304 647 A
, C11D 7/02
, C11D 7/08
, C11D 7/36
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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表面処理組成物及び表面処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-056087
Applicant:三菱化学株式会社
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半導体基板の洗浄液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-052580
Applicant:三菱瓦斯化学株式会社
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