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J-GLOBAL ID：200903062531026498

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  田中 幸夫 ,  小山 潤 ,  納 光明 ,  村上 智史 ,  大沼 英人 ,  藤本 悦子 ,  北角 英人
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032888
Publication number (International publication number)：2000299468
Application date： Feb. 10, 2000
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 回路性能に応じて適切な構造のTFTを配置し、保持容量の占有面積を小さくして高性能で画像の明るい半導体装置を提供する。【解決手段】 動作速度を重視する回路とゲート絶縁耐圧を重視する回路とでゲート絶縁膜の厚さを異ならせたり、ホットキャリア対策を重視するTFTとオフ電流対策を重視するTFTとでLDD領域の形成位置を異ならせる。これにより高性能な半導体装置を実現する。また、遮光膜とその酸化物を用いて保持容量を形成することで保持容量の面積を最小限に抑え、明るい画像表示の可能な半導体装置を実現する。

Claim (excerpt)：

同一基板上に画素部及び駆動回路部を含む半導体装置において、前記駆動回路部を形成する駆動TFTのLDD領域は、前記駆動TFTのゲート絶縁膜を挟んで前記駆動TFTのゲート配線と重なるように配置され、前記画素部を形成する画素TFTのLDD領域は、前記画素TFTのゲート絶縁膜を挟んで前記画素TFTのゲート配線と重ならないように配置され、前記画素部の保持容量は、前記画素TFTの上方に設けられた遮光膜、該遮光膜の酸化物および画素電極で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 612 B ,  G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 619 B