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J-GLOBAL ID：200903062533467033

半導体製造装置

Inventor： 菊地 和一
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991178476
Publication number (International publication number)：1993036808
Application date： Jul. 18, 1991
Publication date： Feb. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、外気の影響を防ぎ信頼性の高い半導体装置を提供することのできるエッチングおよび薄膜形成のための簡単な装置を提供することを目的とする。【構成】本発明では、被処理基板の搬入および搬出等を行う開口部に、不活性気体を噴出させこの気体流によって前記開口部を覆うように構成している。

Claim (excerpt)：

反応室内に反応性ガスを導入し、被処理基板表面をエッチングまたは被処理基板表面に薄膜形成を行う半導体製造装置において、前記反応室が、被処理基板の搬出入等を行う開口部と、不活性気体を噴出させこの気体流によって前記開口部を覆うように構成した気体噴出手段とを具備したことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/68 ,  C23F 1/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31