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J-GLOBAL ID：200903062538713547

半導体レーザ装置,及びその製造方法

Inventor： 影山 茂己 ,  板垣 卓士 ,  宮下 宗治
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994264041
Publication number (International publication number)：1996125280
Application date： Oct. 27, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザ共振器端面における光学損傷を確実に防ぐことにより、高出力で、長寿命な半導体レーザ装置を提供すること,及びこの半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 レーザ共振器端面12近傍の、活性層5の発振領域を含む領域にAlイオン注入領域10を設けた。

Claim (excerpt)：

化合物半導体材料からなり、多重量子井戸構造または超格子構造を有する活性層と、該活性層の発振領域のレーザ共振器端面近傍に、該活性層を構成する元素と同じ族に属する元素をイオン種としてイオン注入して、該活性層の多重量子井戸構造または超格子構造を無秩序化してなるイオン注入領域とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00