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J-GLOBAL ID：200903062545652227

向上された偏光制御及び横モード選択性を持つ半導体表面発光レーザ

Inventor： ケント デニス チオクエット
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994057905
Publication number (International publication number)：1994302911
Application date： Mar. 29, 1994
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】本出願人はレーザ利得領域を適当に整形(shaping )することによって、半導体垂直空洞レーザの偏向方向を制御し、それらの横モード選択性を向上できることを実証した。【構成】より詳細には、利得領域の横断面(transverse cross section)を1.2を超える縦横比(length-to-width ratio )を持つように構成(configure )することによって、基本モードにおいて長い方の次元(long dimension)内に偏向を持つ放出を優遇することができる。十字形構造はスイッチ可能な直交偏向を持つ放出を優遇する。この横断面形状(transverse shape)は屈折率ガイドレーザ(index guided laser)内に特定の空洞形状を乾式エッチングすることによって、或は利得ガイドレーザ(gain guided laser )の回りに整形されたイオン移植領域を形成することによって構成(configure )することができる。

Claim (excerpt)：

ペアの反射層間に縦方向に挟まれた横断方向の構成を持つ活性領域を含むタイプの半導体垂直空胴レーザであって、改良点として、前記の一つの横方向の構成を持つ活性領域が主次元及び直交する副次元を持ち、前記の主次元が前記の副次元より1.2或はそれ以上の係数だけ上回ることを特徴とするレーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-144183
  
• 特開平1-196884