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J-GLOBAL ID：200903062547884745
LEDモノリシツクドツトマトリツクスの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河野 登夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991355498
Publication number (International publication number)：1993145117
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 埋め込み型のLED素子を形成することにより、機械的な素子分離工程を不要として、機械的切断に伴ってLED素子に現れる劣化を防止し、発光特性に優れたLEDモノリシックドットマトリックスを製造する。【構成】 SiC基板1の表面にマトリックス状に凹部2,2...を形成し((a)) 、その各凹部2内にのみp型SiC層3,n型SiC層4を積層形成((b),(c)) して各LED素子10とし、各LED素子10毎にp型電極5, n型電極6を形成する((d)) 。
Claim (excerpt)：
基板上に複数のLED素子をマトリックス状に配設したLEDモノリシックドットマトリックスを製造する方法において、SiC基板の一表面に複数の凹部をマトリックス状に形成する工程と、該凹部内にのみn型SiC層,p型SiC層を形成する工程とを有することを特徴とするLEDモノリシックドットマトリックスの製造方法。
Patent cited by the Patent：
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