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J-GLOBAL ID：200903062556999873

発光ダイオ-ド及びその製造方法

Inventor： 鈴木 金吾 ,  池田 均
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998373153
Publication number (International publication number)：2000196141
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】従来よりも光強度が大幅に改善された燐化砒化ガリウムGaAsP混晶を構成材料とする発光ダイオード(GaAsP系LED)、及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面がGaAsP混晶からなるペレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であるようにした。

Claim (excerpt)：

主表面がGaAsP混晶からなるぺレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であることを特徴とする発光ダイオード。

F-Term (5)：

5F041AA03 ,  5F041CA38 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-042582
  
• 特開昭55-163884
  
• 特開平4-250674
  
• 特開昭59-175776