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J-GLOBAL ID:200903062556999873

発光ダイオ-ド及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石原 詔二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998373153
Publication number (International publication number):2000196141
Application date: Dec. 28, 1998
Publication date: Jul. 14, 2000
Summary:
【要約】【課題】従来よりも光強度が大幅に改善された燐化砒化ガリウムGaAsP混晶を構成材料とする発光ダイオード(GaAsP系LED)、及びその製造方法を提供する。【解決手段】主表面がGaAsP混晶からなるペレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であるようにした。
Claim (excerpt):
主表面がGaAsP混晶からなるぺレットを有する発光ダイオードにおいて、前記主表面が粗面であることを特徴とする発光ダイオード。
F-Term (5):
5F041AA03 ,  5F041CA38 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
  • 特開平4-042582
  • 特開昭55-163884
  • 特開平4-250674
Cited by examiner (7)
  • 特開平4-042582
  • 特開昭55-163884
  • 特開平4-250674
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