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J-GLOBAL ID：200903062564263126

ポジ型化学増幅フォトレジスト及びレジストパターン形成方法

Inventor： 田中 裕之 ,  及川 朗
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124967
Publication number (International publication number)：1993323610
Application date： May. 18, 1992
Publication date： Dec. 07, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ポジ型化学増幅フォトレジストの耐熱性を改良すること。【構成】 フェノール系樹脂と光酸発生剤を含む2成分系、又はさらに溶解抑止剤を含む3成分系のポジ型化学増幅フォトレジストにおいて、さらに架橋剤を添加する。この化学増幅フォトレジストは、パターン露光、ポスト露光ベーク、現像後、さらに全面露光した上でポスト露光ベークより高温でベークして架橋反応を行なわしめ、樹脂を高分子化させ、よってレジストパターンの耐熱性を向上させる。

Claim (excerpt)：

フェノール系樹脂と光酸発生剤とを含むポジ型化学増幅フォトレジストにおいて、架橋剤を含んでいることを特徴とする化学増幅フォトレジスト。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027