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J-GLOBAL ID：200903062580628592

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

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原田 裕次

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河合 義夫

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笹子 勝

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遠藤 政孝

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岸村 眞治

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宮澤 覚

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堤 憲太郎

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前田 一彦

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Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

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セントラル硝子株式会社

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Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002182417
Publication number (International publication number)：2003082030
Application date： Jun. 24, 2002
Publication date： Mar. 19, 2003
Summary：
【要約】【解決手段】 式(1a)、(1b)、(1c)の繰り返し単位を有する高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>はH、F、アルキル、又はフッ素化アルキル、R<SP>3</SP>、R<SP>7</SP>はF、又はフッ素化アルキル、R<SP>4</SP>は酸不安定基、R<SP>8</SP>は密着性基、H、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>10</SP>は単結合、アルキレン、又はフッ素化アルキレン、R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>はH、又はアルキル又はフッ素化アルキル、R<SP>13</SP>はH、F、アルキル、又はフッ素化アルキル、R<SP>14</SP>はH、アルキル又は酸不安定基、0<a<1、0<b<1、0<c<1、0<a+b+c≦1、m、nは、1≦m≦5、0≦n≦4の整数、m+n=5。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、レジストの透明性が向上し、それと同時に優れたプラズマエッチング耐性を有する。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1a)、(1b)、(1c)で示される繰り返し単位を有することを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>、R<SP>2</SP>、R<SP>5</SP>、R<SP>6</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>3</SP>、R<SP>7</SP>はフッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のフッ素化されたアルキル基である。R<SP>4</SP>は酸不安定基、R<SP>8</SP>は密着性基、水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>10</SP>は単結合、又は炭素数1〜20のアルキレン基、又はフッ素化されたアルキレン基である。R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>11</SP>、R<SP>12</SP>の少なくともどちらか一方に1個以上のフッ素原子を含む。R<SP>13</SP>は同一又は異種の水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基であり、フッ素化されたアルキル基であってもよい。R<SP>14</SP>は水素原子又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又は酸不安定基であり、エーテル基、カルボニル基、エステル基、ラクトン環を含んでいてもよい。a、b、cは、0<a<1、0<b<1、0<c<1であり、0<a+b+c≦1である。また、m、nは、1≦m≦5、0≦n≦4の整数であり、m+n=5である。)
IPC (4)：
C08F220/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (4)：
C08F220/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
F-Term (26)：
2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07R ,  4J100AL26P ,  4J100AL26Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA10R ,  4J100BB07Q ,  4J100BB17R ,  4J100BC07P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC53Q ,  4J100CA03 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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