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J-GLOBAL ID：200903062580894128

プラズマCVD膜の形成方法

Inventor： 上田 博一 ,  釘宮 敏洋 ,  桑田 正和
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 本庄 武男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994055356
Publication number (International publication number)：1995263354
Application date： Mar. 25, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電気特性,耐薬品性,ステップカバレージ等の膜質を改善し得るプラズマCVD膜の形成方法。【構成】 この方法を適用可能な装置A1は,高周波電力が投入された真空容器3内に所要のCVDガスを導入してプラズマ化し,このプラズマ10により形成された分解生成物を真空容器3内に配置された試料8上に堆積させるプラズマCVD膜の形成に際し,高周波電力の投入を誘導結合によって行うと共に,CVD処理ガスにアルコキシド珪素(Si-O-Cm Hn )の化学結合を有する常温で液体の有機材料を気化して用いるように構成されている。上記構成により,電気特性,耐薬品性,ステップカバレージ等の膜質を改善することができる。

Claim (excerpt)：

高周波電力が投入された真空容器内に所要のCVD処理ガスを導入してプラズマ化し,該プラズマにより生成された分解生成物を上記真空容器内に配置された試料上に堆積させるプラズマCVD膜の形成方法において,上記高周波電力の投入を誘導結合によって行うとともに,上記CVD処理ガスにアルコキシド珪素(Si-O-Cm Hn )の化学結合を有する常温で液体の有機材料を気化して用いることを特徴とするプラズマCVD膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50