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J-GLOBAL ID：200903062586216539
イオンセンサ及びイオン測定方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993095478
Publication number (International publication number)：1994288972
Application date： Mar. 30, 1993
Publication date： Oct. 18, 1994
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、温度補償の問題に簡単な解決策を与えるものでpH計の測定精度の向上したpH計の製作に寄与するものである。また、本発明は、従来のISFETを用いたpH計の測定精度を大幅に向上させ、0〜50°Cの温度変化に対して±0.01〜±0.1pHを実現しようとするもので、高精度のpH計をISFETを用いて実現するのに大きく可能性を開くものである。【構成】 分離された島状シリコン内にISFETとMOSFETとダイオ-ドDをワンチップ化したデバイスのそれぞれに定電流回路を接続し、定電圧電源からFETのドレインとダイオ-ドに一定電圧を供給したソ-スフォロア回路で、ISFETとMOSFETのそれぞれのソ-ス電圧の差動出力と供にダイオ-ドなどの温度センサからの溶液温度のデ-タをA/Dコンバ-タを通してCPUにデ-タを送り計算することにより、参照電極の電位とセンサ感度の温度による誤差を補償することによりpHの測定精度を向上させたことを特徴とするイオンセンサの構成法。
Claim (excerpt)：
PN接合により夫々分離され島状シリコン内においてゲ-ト絶縁膜上にイオン感応膜被着したイオン感応電界効果トランジスタ(ISFET)と、金属もしくはポリシリコンを被着したMOS形電界効果トランジスタ(MOSFET)及び温度補償用素子を設けたことを特徴とするイオンセンサ。
FI (3)：
G01N 27/30 301 R
, G01N 27/30 301 X
, G01N 27/30 301 G
Cited by examiner (7)
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