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J-GLOBAL ID：200903062604990646

エピタキシャルウェハ

Inventor： 寺嶋 一高 ,  津崎 卓司 ,  宇田川 隆
Applicant, Patent owner： 昭和電工株式会社
Agent (1)： 福田 武通 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057962
Publication number (International publication number)：1999260720
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 エピタキシャルウェハにおいて、緩衝層と、その上面に積層させる立方晶のIII 族窒化物半導体層との整合性をほぼ完全なものにできるようにする。【解決手段】 この発明のエピタキシャルウェハ10は、立方晶の結晶基板1と、この結晶基板1上に形成した、一般構造式がB<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>As(0<p≦1、p+q=1)で表される緩衝層2と、緩衝層2上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>z</SB>N<SB>w</SB>M<SB>1-w </SB>層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0<w≦1で記号Mは窒素以外の第V元素を表す。)で表される窒化物半導体層3と、を備えて成る積層体である。

Claim (excerpt)：

基板上に積層して成るエピタキシャルウェハにおいて、立方晶の結晶基板と、上記結晶基板上に形成した、一般構造式がB<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>As(0<p≦1、p+q=1)で表される緩衝層と、上記緩衝層上に形成した、立方晶を主体とし一般構造式がAl<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>In<SB>z</SB>N<SB>w</SB>M<SB>1-w </SB>層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0<w≦1で記号Mは窒素以外の第V族元素を表す。)で表されるIII 族窒化物半導体層と、を備えたことを特徴とするエピタキシャルウエハ。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平2-288388
  
• 特開平2-288371
  
• 特開平2-275682