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J-GLOBAL ID：200903062632809434

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

Inventor：
畠山 潤

About 畠山 潤

, 
長谷川 幸士

About 長谷川 幸士

, 
大澤 洋一

About 大澤 洋一

, 
橘 誠一郎

About 橘 誠一郎


Applicant, Patent owner：
信越化学工業株式会社

About 信越化学工業株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006237801
Publication number (International publication number)：2007161987
Application date： Sep. 01, 2006
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：
【課題】レジスト材料であって、高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少なく、優れたドライエッチング耐性を有し、また、液浸リソグラフィーにも好適に用い得るレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】少なくとも、特定の酸素含有置換基を有するナフタレン環を側鎖に含む繰り返し単位(a)及び特定のスルホニウム塩基を側鎖に有する繰り返し単位(b)を必須単位として含む高分子化合物をレジスト材料として使用することで高いドライエッチング耐性が得られる。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
少なくとも、下記一般式(a)および(b)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (5)：
C08F 212/14 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/26
FI (6)：
C08F212/14 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  H01L21/30 502R ,  C08F220/26
F-Term (57)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AB08 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CA48 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07S ,  4J100AE09P ,  4J100AE09Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL08S ,  4J100AM21P ,  4J100AM21Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03S ,  4J100BA04P ,  4J100BA10P ,  4J100BA11R ,  4J100BA20P ,  4J100BA50Q ,  4J100BC03R ,  4J100BC04R ,  4J100BC07S ,  4J100BC08R ,  4J100BC08S ,  4J100BC09S ,  4J100BC43Q ,  4J100BC43S ,  4J100BC49P ,  4J100BC49Q ,  4J100BC53R ,  4J100BC53S ,  4J100BC83Q ,  4J100BD10R ,  4J100BD10S ,  4J100CA04 ,  4J100CA06 ,  4J100DA01 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (12)
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Cited by examiner (11)
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