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J-GLOBAL ID：200903062634068024

シリコンウェハ洗浄用組成物

Inventor： 敷野 修 ,  石川 典夫 ,  森 清人 ,  森川 文博 ,  角田 誠
Applicant, Patent owner： 関東化学株式会社 ,  日産化学工業株式会社
Agent (1)： 川上 宣男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120776
Publication number (International publication number)：1997286999
Application date： Apr. 19, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置、特に高集積化半導体装置の製造工程においても使用することのできる洗浄液を開発すること。【解決手段】 下記一般式(I)で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤の少なくとも1種と、二つ以上のホスホン酸基を持つ化合物及びアンモニアを含有せしめたことを特徴とするシリコンウェハ洗浄用組成物。【化1】(式中、R1はフルオロアルキル基を表わし、R2は水素原子又は低級アルキル基を表わし、Xは-CH2COO-又は-(CH2CH2O)n-を表わし、nは2〜10の整数を表わす)。

Claim (excerpt)：

下記一般式(I)で表わされるフルオロアルキルスルホンアミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤の少なくとも1種と、二つ以上のホスホン酸基を持つ化合物及びアンモニアを含有せしめたことを特徴とするシリコンウェハ洗浄用組成物。【化1】(式中、R1はフルオロアルキル基を表わし、R2は水素原子又は低級アルキル基を表わし、Xは-CH2COO-又は-(CH2CH2O)n-を表わし、nは2〜10の整数を表わす)。

IPC (6)：

C11D 10/02 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/304 341 ,  C11D 1:12 ,  C11D 3:36 ,  C11D 7:06

FI (3)：

C11D 10/02 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/304 341 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 低表面張力アンモニア水組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097516   Applicant：日産化学工業株式会社, 関東化学株式会社
• 特開昭55-047208
  
• 特開昭48-008672
  
• 特開昭49-052784