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J-GLOBAL ID：200903062662972690

半導体装置の製造方法

Inventor： 山根 徹也
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996178463
Publication number (International publication number)：1998012734
Application date： Jun. 19, 1996
Publication date： Jan. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 コンタクトホールの側壁への保護膜の堆積の均一化を図ることにより、良好な形状のコンタクトホールを形成する。【解決手段】 半導体基板51上にSiO2 膜からなる層間絶縁膜52を形成し、層間絶縁膜52上にAl膜およびTiN膜を順次形成する。これらをパターニングすることにより所定形状のAl配線53およびTiN膜54を形成した後、全面にSiO2 膜からなる層間絶縁膜55を形成する。層間絶縁膜55上に所定形状のレジストパターン56を形成した後、レジストパターン56をマスクとして層間絶縁膜55をドライエッチング法によりエッチングすることにより、コンタクトホールCを形成する。エッチングガスとしては少なくともハロゲン系ガスおよび窒素原子を含むガスの混合ガスを用い、コンタクトホールCの側壁に窒素原子を含む保護膜57を堆積させながら層間絶縁膜55をエッチングする。

Claim (excerpt)：

絶縁膜を選択的にエッチングすることにより開口を形成する際に、上記開口の側壁に保護膜を堆積させながらエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、上記エッチングに少なくともハロゲン系ガスおよび窒素原子を含むガスの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 F