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J-GLOBAL ID：200903062667499942

シリサイド膜の形成方法

Inventor： 宮本 孝章
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226811
Publication number (International publication number)：1993067584
Application date： Sep. 06, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 シリサイド膜を均一に形成すると共に、下地シリコン系層中のSiの消費を防止し得るようにする。【構成】 シリコン基板1上に多結晶シリコンで成るゲート3を形成した後、ソース・ドレイン領域(単結晶シリコン)上及びゲート3上に多結晶シリコン膜5を選択的にしかも均一に堆積させる。その後、多結晶シリコン膜5の表面を均一に酸化してシリコン酸化膜6を形成する。さらに、全面にチタン膜7を堆積させた後、アニールによってチタンシリサイド膜を形成する。チタンは多結晶シリコン5中のSiとシリサイド化反応を行なってシリサイド化し、下地のシリコン系層である、ゲート3及びソース・ドレイン領域のSiは消費されずにすむ。このため、浅い接合の破壊等を防止することができる。

Claim (excerpt)：

シリコン系層上に選択的にシリコン膜を堆積させる工程と、前記シリコン膜表面を酸化してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記シリコン酸化膜上にメタル層を形成してシリサイド化する工程とを備えたことを特徴とするシリサイド膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784