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J-GLOBAL ID:200903062671221932
金属メッキ中に半導体被加工物の表面に対する電気接点を形成する装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001569443
Publication number (International publication number):2003528219
Application date: Feb. 22, 2001
Publication date: Sep. 24, 2003
Summary:
【要約】第1と第2の導電要素を含む特定の装置を使用して、導電材料を含有する電解液から、半導体ウエハを含む基板の表面上に導電材料をほぼ均一に堆積させることができる。第1の導電要素は、同一の又は異なる構成の多数の電気接点を有することができ、或いは導電パッドの形態をしていてもよく、また、基板表面のほぼ全体にわたって該表面と接触するか、又は別の方法で電気的に相互接続できる。電解液を基板表面及び第2の導電要素と物理的に接触させながら、第1及び第2の導電要素間に電圧が加えられると、導電材料が基板表面上に堆積される。堆積された導電材料の電解エッチングが実行できるように、陽極と陰極との間に加えられる電圧の極性を逆にすることが可能である。
Claim (excerpt):
導電材料を含有する電解液から、半導体ウエハを含む基板の表面上に導電材料をほぼ均一に堆積させることができる装置であって、 前記表面のほぼ全体にわたって配置された位置で、該表面と電気的に相互接続できる多数の電気接点を有する第1の導電要素と、 第2の導電要素と、を含み、 前記電解液を前記表面及び前記第2の導電要素と物理的に接触させながら、かつ、前記基板の表面と前記電気接点とを互いに対して移動させながら、前記第1及び第2の導電要素間に電圧が印加されたとき、前記導電材料が前記表面上に堆積される、ことを特徴とする装置。
IPC (5):
C25D 21/00
, C25D 5/06
, C25D 7/12
, C25F 7/00
, H01L 21/288
FI (6):
C25D 21/00 G
, C25D 5/06
, C25D 7/12
, C25F 7/00 L
, C25F 7/00 U
, H01L 21/288 E
F-Term (12):
4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA01
, 4K024BB12
, 4K024CB01
, 4K024CB04
, 4K024CB06
, 4K024CB08
, 4K024CB09
, 4K024CB13
, 4K024GA02
, 4M104DD52
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