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J-GLOBAL ID：200903062677017318

Cu合金膜の形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 星野 和弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998121051
Publication number (International publication number)：1999312655
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 電解めっき法によりCu合金膜を容易に形成することができるCu合金膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 CuとCu以外の遷移金属MとからなるCu合金膜を、CuSO4 とMX (SO4 )Y (ただし、X,Yは整数)とを含むめっき液を用いた電解めっき法により形成する。遷移金属Mとしては、例えばTi,Zrなどを用いる。このようにして形成されるCu合金膜を半導体装置の配線主材料として用いて配線を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上にCuとCu以外の遷移金属MとからなるCu合金膜を形成するようにしたCu合金膜の形成方法であって、CuSO4 とMX (SO4 )Y (ただし、X,Yは整数)とを含むめっき液を用いて電解めっき法により上記Cu合金膜を形成するようにしたことを特徴とするCu合金膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/288 ,  C25D 3/58 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/288 E ,  H01L 21/288 M ,  C25D 3/58 ,  H01L 21/28 301 Z ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A