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J-GLOBAL ID：200903062678986500

半導体レーザとこれを利用した浮上型光ピックアップ装置

Inventor： チュル-ウー リー ,  ジャン-フーン ユー ,  ピョン-ヨン ソン
Applicant, Patent owner： サムソン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
Agent (1)： 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995171744
Publication number (International publication number)：1996222814
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】 レーザ光を発生する半導体レーザとこれを光源として使用して情報を記録再生する光ピックアップ装置を提供する。【構成】 光スポット縮小による高密度記録再生の実現のため、半導体レーザ4′の出射端にアパーチュア10を具備する。このアパーチュア10は半導体レーザ4′の活性領域の断面幅より小さく開けられた孔があってその孔からレーザ光を制限的に出射させて光ディスク1上の光スポットを縮小させることにより、実質的な高密度記録と再生を可能にさせ、小型化された情報処理器に有用である。

Claim (excerpt)：

光を放出する活性領域を有し、この活性領域の出射端からレーザ光を出射させる半導体レーザにおいて、前記した活性領域の出射端に光を遮断する部材としてその活性領域の断面幅より小さい大きさで開けられた孔を有するアパーチュアを具備し、その孔を通じて前記したレーザ光が制限的に出射されるように構成されたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  G11B 7/135

FI (3)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125 B ,  G11B 7/135 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-181588
  
• 特開平3-003385
  
• 特開平4-141824