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J-GLOBAL ID：200903062684484100
集積回路
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991315863
Publication number (International publication number)：1993211167
Application date： Nov. 29, 1991
Publication date： Aug. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】パルスレーザの照射により形成される素子の不均一化を防ぎ、大面積なデバイスにおける構成素子の均一性の向上、デバイス動作を安定化をはかる。【構成】パルスレーザの照射工程を経て形成される集積回路を、1照射範囲よりも小さなブロックに分けて配置することで、レーザ照射周辺部に素子が配置されないようにする。
Claim (excerpt)：
パルスレーザの照射工程を経て形成される半導体素子からなる集積回路において、前記パルスレーザの1パルス照射範囲よりも小さい素子集積群から構成されることを特徴とする集積回路。
IPC (5)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 21/268
