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J-GLOBAL ID：200903062688513562
透明導電膜のエツチング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991223215
Publication number (International publication number)：1993062966
Application date： Sep. 04, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：
【要約】【目的】 透明導電膜のエッチング方法に関し、安定にエッチングを行うことを目的とする。【構成】 被処理基板上に透明導電膜を形成した後、写真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用するエッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用することを特徴として透明導電膜のエッチング方法を構成する。
Claim (excerpt)：
被処理基板上に透明導電膜を形成した後、写真蝕刻技術を用いてパターン形成を行うのに使用するエッチング液として蓚酸の飽和水溶液を使用することを特徴とする透明導電膜のエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/308
, H01B 13/00 503
