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J-GLOBAL ID：200903062691627072

p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991357046
Publication number (International publication number)：1993183189
Application date： Dec. 24, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を低抵抗なp型とし、さらに膜厚によらず抵抗値がウエハー全体に均一であり、発光素子をダブルへテロ、シングルへテロ構造可能な構造とできるp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供する。【構成】 気相成長法により、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を形成した後、400°C以上の温度でアニーリングを行う。但し、アニーリングは加圧下、または窒化ガリウム系化合物半導体の上に、新たにキャップ層を設けて行うことがさらに好ましい。

Claim (excerpt)：

気相成長法により、p型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体を形成した後、400°C以上の温度でアニーリングを行うことを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭54-071589
  
• 特開昭57-023284
  
• 特開昭62-119196
  
• 特開平2-303064
  
• 特開平2-142188