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J-GLOBAL ID：200903062691774873

ECRプラズマ処理方法

Inventor： 佐藤 淳一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 志賀 富士弥 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992087394
Publication number (International publication number)：1993291182
Application date： Apr. 09, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 処理枚数が増えてもパーティクルの発生を抑え、デバイスの歩留まりを向上するECRプラズマ処理技術を得る。【構成】 Ti膜1aを形成した後、TiN膜1bを形成するECRプラズマCVDにおいて、TiN膜1bを所定回数形成した後、膜剥がれを防止するTi膜をダミーデポジションして、TiN膜1bによるパーティクルの発生を抑制した。

Claim (excerpt)：

ECR放電にて、プラズマを発生させ、該プラズマを用いてTi及びTi合金膜形成の処理プロセスを行なう装置にて、成膜の回数を重ねてゆく過程で、Tiのダミー成膜を入れることを特徴とするECRプラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-005560
  
• 特開平4-030421
  
• 特開平1-252827
  
• 特開昭61-225522