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J-GLOBAL ID：200903062708017559

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 坂本 弘美
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996063542
Publication number (International publication number)：1997260668
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】 液晶表示装置に用いられ、配線抵抗が低く、高開口率で高性能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に形成された溝2を有する絶縁性基板1の表面上に堆積された金属4でソースライン24および遮光膜23が形成され、ソースライン24上の透明絶縁膜5に形成されたコンタクトホール6を介してソースライン24と透明絶縁膜5上に形成された半導体層7とが接続されている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上に形成された薄膜トランジスタであって、該絶縁性基板の表面に形成された溝を含む絶縁性基板の該溝を有する表面上に堆積された導電体からソースラインおよび遮光膜が形成され、該ソースライン上の透明絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該ソースラインと該透明絶縁膜上に形成された半導体層とが接続されている薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500

FI (4)：

H01L 29/78 616 S ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 B ,  H01L 29/78 626 C