ウエハの洗浄方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：船橋國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996092227
Publication number (International publication number)：1997283484
Application date： Apr. 15, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体ウエハ表面を酸化しながらその酸化膜を除去する洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着している金属汚染物質やパーティクルを除去する方法では十分な洗浄効果が得られなかった。また半導体ウエハにドーピングされている不純物の種類、そのドーピング量によって酸化速度が異なるため、ウエハ面内を均一に酸化して洗浄することは困難であった。【解決手段】酸化性溶液12で半導体ウエハ11の表面を酸化させて酸化膜13を形成する第1工程と、酸化膜13を選択的にエッチングするエッチング液14によって、酸化膜13をエッチングするとともに付着物質21を除去する第2工程とを備えたウエハの洗浄方法であり、第1工程と第2工程とを繰り返し行ってもよい。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する洗浄方法であって、酸化性溶液で半導体ウエハ表面を酸化させて、該半導体ウエハ表面に酸化膜を形成する第1工程と、酸化膜を選択的にエッチングするエッチング液によって、前記第1工程で形成した酸化膜をエッチングして、該酸化膜とともに該半導体ウエハ表面に付着している物質を除去する第2工程とを備えたことを特徴とするウエハの洗浄方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/304 341 M , H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体基板の洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-127830 Applicant：ソニー株式会社

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