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J-GLOBAL ID：200903062720221935
単結晶磁性膜の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992054718
Publication number (International publication number)：1993234799
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】超小型の平面型磁気素子に適用されるFe系またはFe-Co系単結晶膜を、高い生産性で製造できる方法を提供する。【構成】荷電ビームによりターゲットをスパッタリングして基板上にFe系またはFe-Co系の単結晶磁性膜を製造するにあたり、荷電ビームのエネルギーを300〜5000eVの範囲に設定し、基板温度を室温〜500°Cの範囲に保持する。
Claim (excerpt)：
荷電ビームによりターゲットをスパッタリングして基板上にFe系またはFe-Co系の単結晶磁性膜を製造するにあたり、荷電ビームのエネルギーを300〜5000eVの範囲に設定し、基板温度を室温〜500°Cの範囲に保持することを特徴とする単結晶磁性膜の製造方法。
IPC (3)：
H01F 41/18
, H01F 10/14
, H01F 10/16
Cited by examiner (5)
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