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J-GLOBAL ID：200903062737651496
整流用半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991299773
Publication number (International publication number)：1993110062
Application date： Oct. 18, 1991
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 一導電型半導体に形成されるショットキ接触面における電界強度を減少させ、高い逆方向電圧領域まで逆漏れ電流を小さく抑制すると共に、チップ面積に対する順方向電流を増大し、半導体チップ面積の経済化を図る。【構成】 一導電型半導体のトレンチ溝による凸部上面と側面の一部にわたり、ショットキ接触を形成する金属層のバリアハイトとほぼ同程度の電子ポテンシアルをもつ第2の一導電型半導体領域を形成し、又、トレンチ溝の底面と前記側面の残りの部分に金属層のバリアハイトより大きい電子ポテンシアルをもつ逆導電型半導体領域を形成することを特徴とする。
Claim (excerpt)：
第1の一導電型半導体にトレンチ溝を設け、その表面にショットキ接触を形成する金属層を設けた整流用半導体装置において、一導電型半導体の凸部上面とその側面の一部にわたって、金属層のバリアハイトとほぼ同程度の電子ポテンシアルをもつ第2の一導電型半導体領域、及びトレンチ溝の底面と前記側面の残りの部分に前記金属層のバリアハイトより大きい電子ポテンシアルをもつ逆導電型半導体領域を形成したことを特徴とする整流用半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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