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J-GLOBAL ID：200903062745921265
マイクロ波移相器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993084523
Publication number (International publication number)：1994303095
Application date： Apr. 12, 1993
Publication date： Oct. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 マイクロ波移相器のマイクロ波信号に対する進相量あるいは遅相量を可変にする。【構成】 第1単極双投スイッチ2の第1の出力端子11と第2単極双投スイッチ4の第1の入力端子と31との間に接続された低域通過フイルタ60と、上記第1低域通過フイルタの第2の出力端子12と第2単極双投スイッチの第2の入力端子32との間に接続された高域通過フイルタ70とからなり、上記低域通過フイルタ、高域通過フイルタ中の各キャパシタンス素子としてデュアルゲートFET63、73が使用され、その一方のゲート電極に対して当該デュアルゲートFETをピンチオフ状態に維持するのに十分な大きさのバイアス電圧が印加され、他方のゲート電極に対して所要の大きさのキャパシタンス値を得るのに必要な大きさのバイアス電圧が印加される。
Claim (excerpt)：
信号入力端子と信号出力端子との間に直列に接続された第1および第2のインダクタンス素子と、該第1のインダクタンス素子と第2のインダクタンス素子との相互接続点と基準電位点との間に接続されたデュアルゲートFETとからなる低域通過フイルタにより構成され、上記デュアルゲートFETはキャパシタンス素子として作用し、その一方のゲート電極には当該デュアルゲートFETを常にピンチオフ状態に維持するのに十分な大きさのバイアス電圧が供給され、他方のゲート電極に所要の大きさのキャパシタンス値を得るのに必要な大きさのバイアス電圧が供給されることを特徴とする遅相器として動作するマイクロ波移相器。
IPC (2)：
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