Pat
J-GLOBAL ID：200903062757270227
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998175180
Publication number (International publication number)：2000012523
Application date： Jun. 22, 1998
Publication date： Jan. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 チャンバの内壁に付着した付着物の剥がれを防止し、パーティクルの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 チャンバの内壁に、カーボンを含む材料からなるカーボン含有膜を付着させる。カーボン含有膜の付着したチャンバ内に、半導体基板を配置する。チャンバ内に希ガスを含む処理ガスのプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンが半導体基板の表面に引き寄せられるような電界を印加し、半導体基板の表面層の一部をエッチングする。エッチング時に、カーボン含有膜の表面上にエッチングされた膜の成分を含む膜が付着する。
Claim (excerpt)：
チャンバの内壁に、カーボンを含む材料からなるカーボン含有膜を付着させる工程と、前記カーボン含有膜の付着した前記チャンバ内に、半導体基板を配置する工程と、前記チャンバ内に希ガスを含む処理ガスのプラズマを発生させ、該プラズマ中のイオンが前記半導体基板の表面に引き寄せられるような電界を印加し、前記半導体基板の表面層の一部をエッチングする工程とを有する半導体装置の製造方法。
FI (2)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
5F004AA13
, 5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB30
, 5F004DA00
, 5F004DA02
, 5F004DA03
, 5F004DA04
, 5F004DA15
, 5F004DA16
, 5F004DA23
, 5F004DB08
, 5F004DB12
, 5F004DB13
, 5F004EA13
, 5F004EA21
