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J-GLOBAL ID：200903062778175666

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  浅見 勇臣 ,  北角 英人 ,  荒井 康行
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000017726
Publication number (International publication number)：2000286426
Application date： Jan. 26, 2000
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 プラズマを利用した水素化の方法では、結晶質半導体膜を直接プラズマに晒す結果、プラズマ中に同時に生成されるイオンによって、結晶質半導体膜にダメージを与えてしまう問題点があった。このダメージを回復させるために400°C以上に基板を加熱すると結晶質半導体膜から水素が再放出されてしまう欠点を有していた。【解決手段】 所定の形状に形成された半導体層上に、水素を含有する第1の絶縁膜を形成する工程と、その後に水素またはプラズマ化されることにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理を施す工程と、第1の絶縁膜に密接して第2の絶縁膜を形成する工程と、その後に水素またはプラズマ化されることにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理を施す工程を行い、さらに第2の絶縁膜上に水素を含有する第3の絶縁膜を形成した後で、水素または窒素を含む雰囲気中で加熱処理を施す工程を実施しする。

Claim (excerpt)：

基板上に所定の形状で形成された半導体層上に水素を含有する第1の絶縁膜を形成する第1の成膜工程と、前記第1の成膜工程の後に水素雰囲気中またはプラズマ化することにより生成された水素を含む雰囲気中で加熱処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 619 A ,  H01L 21/322 Z ,  H01L 29/78 627 E

F-Term (55)：

5F110AA19 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110BB09 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD02 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ17 ,  5F110HJ22 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN14 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ25