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J-GLOBAL ID：200903062780484552

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 早川 昌彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148560
Publication number (International publication number)：1995335899
Application date： Jun. 07, 1994
Publication date： Dec. 22, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶性珪素膜を2層に分けて形成することにより、低温プロセスの熱結晶化で、かつニッケル元素を含有しない結晶性珪素膜を得る。【構成】 下地珪素膜102上に形成された非晶質珪素膜103上に、ニッケル含有層104を形成し、550°C、4時間の加熱処理をおこない結晶性珪素膜105を得る。その後、得られた結晶性珪素膜105上に非晶質珪素膜を形成する。そして、再び、550°C、4時間の加熱処理をおこない結晶性珪素膜106を得ることができる。そしてこの結晶性珪素膜用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性層が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性層は、2層構造となっており、前記2層構造の、1層目の結晶性を有する珪素膜は、微量のニッケル元素を含み、2層目の結晶性を有する珪素膜は、実質的にニッケル元素を含んでいないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/225 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭63-236310
  
• 特開平4-196311
  
• 特開平2-140915