結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997325428
Publication number (International publication number)：1999147786
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 CZ法において制御幅が広く、より制御し易い成長条件下で製造した、熱酸化処理時に OSFリグは発生するが、該リング内外のN領域を最大限拡大した低欠陥密度であるシリコン単結晶ウエーハ並びに OSF核は存在するが、熱酸化処理時に該リングは発生せず、かつ、ウエーハ全面の酸素濃度が24ppma以下で、 FPD及びL/D がウエーハ全面内に存在しない、結晶全面が利用可能な極低欠陥密度であるシリコン単結晶ウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法において引上速度をF[mm/min]とし、シリコンの融点から1400°C間の引上軸方向の結晶内温度勾配平均値をG[°C/mm]で表した時、F/Gの値を結晶中心で0.112 〜0.142mm2/°C・minとする製法、並びに前記F/G 値範囲に制御しかつ結晶中酸素濃度を24ppma以下に抑えて引上げるかまたは結晶中の1050〜 850°Cの温度域通過時間を 140分以下に制御する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウエーハにおいて、熱酸化処理をした際にリング状に発生するOSFリングあるいはOSFリングの核が存在し、かつ、FPD及びL/Dがウエーハ全面内に存在しないことを特徴とするシリコン単結晶ウエーハ。

IPC (4)：

C30B 15/00 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208 , H01L 21/02

FI (4)：

C30B 15/00 Z , C30B 29/06 502 H , H01L 21/208 P , H01L 21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

シリコン単結晶ウェーハおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-158458 Applicant：住友シチックス株式会社
ウエーハ周辺部に結晶欠陥がないシリコン単結晶およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-025928 Applicant：信越半導体株式会社
ホットゾーンでの引上速度プロファイルを調節して単結晶シリコンインゴット及びウェーハを製造する方法、それによって製造されるインゴット及びウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-030682 Applicant：サムスンエレクトロニクスカンパニーリミテッド

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