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J-GLOBAL ID：200903062798917472
強誘電体層を有する半導体素子及びその製法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曽々木 太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320884
Publication number (International publication number)：1993136426
Application date： Nov. 09, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：
【要約】【目的】 結晶性の良い強誘電体層が形成されると共に、強誘電体層の構成元素のイオンが半導体基板中に拡散することが少ないMFS型半導体素子及びその製法を提供する。【構成】 本発明のMFS型半導体素子は、基板1としてSiC基板を用いていることを特徴としている。また本発明の製法は、Si基板14にSiC層15を成膜した後、強誘電体層16及びゲート電極17を成膜することを特徴としている。
Claim (excerpt)：
SiCからなる半導体基板と、該半導体基板の表層部に所定の間隔をおいて形成された不純物拡散層と、前記半導体基板上で前記不純物拡散層間に橋架された強誘電体層と、該強誘電体層上に積層された電極とからなることを特徴とする半導体素子。
IPC (2)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
