Pat

J-GLOBAL ID：200903062802774045

高周波モジュール

Inventor： 栗山 哲 ,  田上 知紀 ,  関根 健治 ,  大西 正己 ,  加賀谷 修 ,  礒部 敦
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001292788
Publication number (International publication number)：2003100937
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 基板面積の小型化及び放熱性の向上が可能な高周波モジュールを提供する。【解決手段】 本発明の高周波モジュールは、第1の基板10と第2の基板20を有し、第1の基板10の上面に形成された凹部30に第1の回路素子群を配置し、第2の基板20の上面に第2の回路素子群を配置し、第1の基板10と第2の基板20は上下に接続した場合に電気的結合を可能ならしめる電極端子60-a、60-bを有し、第1の基板10と第2の基板20とを上下に接続することにより高周波モジュールを形成する構造を有し、更に第1の回路素子群から放出される熱を、凹部30の底面と第1の基板10の下面に形成された放熱部40とを接続する貫通孔50-aを介して放熱部40に伝達する構造を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の基板と、前記第1の基板上に配置された第1の回路素子と、前記第1の基板の前記第1の回路素子が配置された面の反対側の面に形成された放熱部と、前記第1の回路素子が配置された面と前記放熱部との間を貫通し前記第1の回路素子から放出される熱を前記放熱部に伝達する第1の貫通孔と、前記放熱部が形成された面の反対側の面に形成された第1の接続点とを含んでなる第1の回路ブロックと、第2の基板と、前記第2の基板上に配置された第2の回路素子と、前記第2の基板の前記第2の回路素子が配置された面の反対側の面に形成された第2の接続点とを含んでなる第2の回路ブロックとを具備してなり、前記第1の回路ブロックおよび前記第2の回路ブロックは、互いに接続可能に構成され、前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックとが接続されることにより、前記第1の回路素子が収容される封止された凹部が形成されると共に、前記第1の接続点と前記第2の接続点とが接触して前記第1の回路素子と前記第2の回路素子とが電気的に接続される構造を有することを特徴とする高周波モジュール。

IPC (6)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 25/00 ,  H05K 1/14 ,  H05K 3/36 ,  H05K 3/46

FI (8)：

H01L 23/12 301 J ,  H01L 25/00 B ,  H05K 1/14 A ,  H05K 3/36 A ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 U ,  H01L 23/12 N

F-Term (20)：

5E344AA01 ,  5E344AA22 ,  5E344AA26 ,  5E344BB02 ,  5E344BB06 ,  5E344BB08 ,  5E344CC05 ,  5E344CC24 ,  5E344CD04 ,  5E344DD02 ,  5E344DD06 ,  5E344EE02 ,  5E344EE12 ,  5E346AA22 ,  5E346AA43 ,  5E346CC17 ,  5E346FF01 ,  5E346GG25 ,  5E346HH17 ,  5E346HH22