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J-GLOBAL ID：200903062810036304

量子カスケードレーザー

Inventor： フェイスト,イェローメ ,  ベック,マティアス ,  モレール,アントイネ
Applicant, Patent owner： アルプ ラゼール エス.アー.
Agent (2)： 福村 直樹 ,  吉村 悟
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2002527019
Publication number (International publication number)：2004521481
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：

制御電場を与えるための2つの電極(10、18)と、該2つの電極の間に配置される導波管を有すると共に・各々が量子障壁の性質を示す第一の型の薄層(22)と各々が量子井戸の性質を示す第二の型の薄層(24)(前記薄層は、それぞれ前記量子障壁と量子井戸とを形成する第一の半導体材料と第二の半導体材料とからなっている)とを各層が交互に有する数個の層(20)を有してなる利得領域(14)、並びに前記利得領域(14)の両側に配置された2つの光閉じ込め層(12、16)を有する量子カスケードレーザー。本発明においては、利得領域(14)の各層(20)が活性領域が3つの副帯を有し、2つの最も離れた副帯間の電子の遷移によって、2つの光学フォノンの放出に必要なエネルギーに対応するエネルギー(EGH、EHJ)の放出を伴うように副帯間のポテンシャルの差が設定されている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

制御電場を与えるための2つの電極(10、18)と、該2つの電極の間に配置される導波管を有すると共に ・各々が量子障壁の性質を示す第一の型の薄層(22)と各々が量子井戸の性質を示す第二の型の薄層(24)(前記薄層は、それぞれ前記量子障壁と量子井戸とを形成する第一の半導体材料と第二の半導体材料とからなっている)とを各層が交互に有する数個の層(20)を有してなる利得領域(14)、並びに ・前記利得領域(14)の両側に配置された2つの光閉じ込め層(12、16) を有する量子カスケードレーザーであって、 利得領域(14)の各層(20)が注入障壁層(26)と少なくとも3対の薄層から形成されている活性領域(28)とを有し、該対の各々が第一の型の薄層(22)及び第二の型の薄層(24)からなっており、前記各層における活性領域の薄層が、各々の量子井戸が少なくとも第一の上側副帯(F)、第二の中間副帯(G)、第三の下側副帯(H)及び第四の下側副帯(J)を有し、第二の副帯と第三の副帯との間のポテンシャルの差、及び第三の副帯と第四の副帯との間のポテンシャルの差が、第二の副帯から第三の副帯への電子の遷移又は第三の副帯から第四の副帯への電子の遷移に伴って光フォノンの放出に必要なエネルギーに対応するエネルギー(EGH、EHJ)が放出されるようになっていることを特徴とすること。

IPC (1)：

H01S5/343

FI (1)：

H01S5/343

F-Term (3)：

5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA15