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J-GLOBAL ID：200903062826554291
ヘリコン波プラズマ装置およびこれを用いたプラズマCVD方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994148315
Publication number (International publication number)：1996017744
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：
【要約】【目的】 TEOSを用いて成膜したSiOx 膜のステップ・カバレージの良さと、SiH4 を用いて成膜したSiOx 膜の膜質の良さを兼ね備えたSiOx 膜を成膜する。【構成】 ヘリコン波プラズマ装置の高周波アンテナ2への高周波印加を切り換えスイッチ14により間欠/連続のいずれかに切り換え可能とし、かつヘリコン波プラズマPH の輸送に寄与する外周側ソレノイド・コイル3bへの電流の印加/遮断をON/OFFスイッチ17により切り換え可能とすることで、ベルジャ1内およびウェハW近傍のプラズマ密度を自在に変化させる。低密度プラズマ中でTEOSを解離させれば、膜形成前駆体の良好な流動性を利用してステップ・カバレージに優れるSiOx 膜が成膜でき、高密度プラズマ中でSiH4 を解離させれば、残留成分の少ない緻密で耐水性に優れるSiOx 膜が成膜できる。
Claim (excerpt)：
外周を高周波アンテナと少なくとも2つのソレノイド・コイルとにより周回され、内部にヘリコン波プラズマが生成されるようになされたプラズマ生成チャンバと、前記高周波アンテナへの高周波の間欠/連続印加を切り換える高周波電界制御手段と、前記ソレノイド・コイルのうち前記ヘリコン波プラズマの輸送に寄与するソレノイド・コイルに対する電流の印加/遮断を時系列的に制御する磁界制御手段と、前記プラズマ生成チャンバに接続される真空容器であって、その内部に収容した基板に対し、前記プラズマ生成チャンバから引き出されたヘリコン波プラズマを用いて所定のプラズマ処理を行うプラズマ拡散チャンバと、少なくとも前記プラズマ生成チャンバに前記所定のプラズマ処理のためのガスを供給する処理ガス供給手段とを備えたヘリコン波プラズマ装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/31
