負荷抵抗体の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：秋元輝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998321090
Publication number (International publication number)：2000150671
Application date： Nov. 11, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】スタテイックランダムアクセスメモリーに形成する負荷抵抗体の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート及びソース/ドレイン領域のような異なる導電領域の間の接続部が水素処理を耐熱性金属酸化物層に施されて形成され、負荷抵抗体が前記水素処理におけるパラメーターと異なるパラメーターにより水素処理されて形成される。そして、前記二回にわたる水素処理によっても電気的特性が転換されない前記耐熱性金属酸化物層の部分により絶縁層が形成される。

Claim (excerpt)：

以下の工程からなる負荷抵抗体の形成方法:少なくとも導電領域を有する基板を準備する工程;前記の導電領域を露出させる開孔をもつ絶縁層を前記基板に形成する工程;前記絶縁層の上に耐熱性金属酸化物層を形成し、そして、前記開孔を閉塞する工程;及び前記耐熱性金属酸化物層に対し、二回にわけて水素処理を行い、該耐熱性金属酸化物層を低抵抗の導電体、高抵抗の導電体及び絶縁体に転換する工程。

IPC (5)：

H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01C 7/00

FI (3)：

H01L 27/10 381 , H01C 7/00 A , H01L 27/04 P

F-Term (19)：

5E033AA48 , 5E033AA54 , 5E033AA55 , 5E033AA58 , 5E033BB05 , 5E033BD11 , 5F038AR10 , 5F038AR19 , 5F038EZ11 , 5F038EZ14 , 5F038EZ15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F083BS37 , 5F083BS42 , 5F083GA07 , 5F083GA25 , 5F083JA21 , 5F083PR18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-102953
特開昭63-031158
特開昭61-127159

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