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J-GLOBAL ID：200903062846952765

成膜方法

Inventor： 沖田 裕之 ,  外崎 峰広
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998145452
Publication number (International publication number)：1999335818
Application date： May. 27, 1998
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】蒸着材料を酸化させず高純度な状態で保持させ、良質で生産性の高い成膜方法を提供すること。【解決手段】真空雰囲気の誘導部12内のアーク放電用カソード15及びAlカソード16と、対向配置したアノード17とでアーク放電を行い、Alイオン19を電磁コイル18で基体21へ導き、この基体21近傍で酸素供給管13から供給する酸素にAlイオン19を反応させて基体21へ蒸着し、Al2 O3 膜を形成する。

Claim (excerpt)：

金属材料を陰極として、高真空中でアーク放電を起こさせ、前記金属材料から発生した金属イオンを負電位の基体表面に導き、前記基体近傍に形成した酸素雰囲気下で、前記金属イオンを前記基体表面に付着させて、前記基体表面に実質的に前記金属材料の酸化物からなる膜を形成する成膜方法。