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J-GLOBAL ID：200903062876310474

レジストおよびこれを用いたパターン形成方法

Inventor： 木原 尚子 ,  斎藤 聡 ,  若林 弘光 ,  中瀬 真 ,  大場 正幸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996055027
Publication number (International publication number)：1997050127
Application date： Mar. 12, 1996
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】 剛性の充分なレジスト膜を成膜することが可能で形成されるパターンの倒れ、折れ等を抑えることができ、結果的に超微細で高アスペクト比のパターンを高い感度で形成し得るレジストを提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表されるスルフォニル化合物と、酸により分解してアルカリ可溶性基を生成する置換基を有する化合物と、アルカリ可溶性化合物を含有する。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R2 はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R3 は2価の有機基を示し、nは2以上の整数である。)

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で表されるスルフォニル化合物を含有することを特徴とするレジスト。【化1】(上記一般式(1)中、R1 は水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R2 はハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ニトリル基または1価の有機基、R3 は2価の有機基を示し、nは2以上の整数である。)

IPC (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭63-127237