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J-GLOBAL ID：200903062883571488

薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 北沢 良幸
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992217928
Publication number (International publication number)：1994069503
Application date： Aug. 17, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】 液晶表示装置の熱酸化膜を用いた薄膜トランジスタに関する製造方法【構成】 島状にパターニングしたシリコン膜上に酸化シリコン膜を堆積した後、シリコン膜および酸化シリコン膜を同時に熱酸化することにより、ゲート熱酸化膜を形成する。

Claim (excerpt)：

石英基板上にシリコン膜を堆積しパターニングする工程と、酸化シリコン膜を堆積する工程と、引き続き前記酸化シリコン膜下の前記シリコン膜をを熱酸化する工程と、ゲート電極用の薄膜を堆積しパターニングを施す工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭59-040580
  
• 特開昭59-005672
  
• 特開平2-194620
  
• 特開平3-120871