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J-GLOBAL ID：200903062884458200

不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 澤田 喜久三 ,  馬渡 博史
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993122014
Publication number (International publication number)：1994309890
Application date： Apr. 26, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 制御信号に応じて、単位メモリセルに4値のデータの読み書きを行うか、2値のデータの読み書きを行うかを切り換え可能なEEPROMを提供する。【構成】 選択されたメモリセル243〜274に対し、制御入力端子109に入力された制御信号がハイの場合、プログラム回路121において、互いに異なる4つの電圧値、例えば、22V、20V、18V、16Vのうちの1つを選択し、マルチプレクサ129を介して、選択されたビット線134〜141に印加する。これにより、選択されたメモリセル243〜274に4値のデータを書き込む。制御入力端子109に入力された制御信号がローの場合、プログラム回路121において2値、例えば、22Vと16Vの何れか一方の電圧を、選択されたビット線134〜141に印加し、選択されたメモリセル243〜274に2値のデータを書き込む。読み出し時には、制御入力端子109に入力された制御信号に応じ、4値のセンス回路2か2値のセンス回路1を選択する。

Claim (excerpt)：

電気的にプログラムが可能な不揮発性を有する半導体記憶装置において、マトリクス状に配され且つ各々が複数の記憶レベルにプログラム可能な複数のメモリセルと、前記複数のメモリセルから少なくとも1つのメモリセルを選択するメモリセル選択回路と、選択されたメモリセルに対し、所定の選択信号に応じて、2値のデータの読み出し又は書き込みを行う第1のモード及び4値以上のデータの読み出し又は書き込みを行う第2のモードを備えたリード/ライト回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

G11C 17/00 309 Z ,  G11C 17/00 308 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371