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J-GLOBAL ID：200903062884765774
被加熱掃去面を備えるプラズマエッチング装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994246240
Publication number (International publication number)：1995183283
Application date： Oct. 12, 1994
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 壁温を高くしてエッチング速度を高めることにより、フッ素を掃去し、かつ、無酸化物下層よりも酸化膜へのエッチング選択性を高める。【構成】 プラズマエッチング反応装置の操作方法として具体化され、この方法は、反応装置内の加工物上の酸化膜をエッチングするエッチング種と、このエッチング種と特定蒸着温度より低い温度で結合して、加工物上の凝縮可能のエッチング防止性ポリマーとなり得る非エッチング種とにプラズマとして解離するガスを反応装置に導入し、エッチング種を掃去する材料を含む内壁を提供し、この内壁の温度を上記蒸着温度より高く維持することから構成される。
Claim (excerpt)：
プラズマエッチング反応装置の操作方法において、反応装置内の加工物上の酸化膜をエッチングするエッチング種と、このエッチング種と特定蒸着温度より低い温度で結合して、前記加工物上の凝縮可能のエッチング防止性ポリマーとなり得る非エッチング種とにプラズマとして解離するガスを前記反応装置に導入する工程と、前記エッチング種を掃去する(scavenges) 材料を含む内壁を提供する工程と、前記内壁の温度を前記蒸着温度より高く維持する工程と、を備える方法。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 F
Cited by examiner (6)
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