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J-GLOBAL ID：200903062891637307

半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： 渡辺 哲夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994209598
Publication number (International publication number)：1996078644
Application date： Sep. 02, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 SOI基板に形成された半導体集積回路装置の信頼度を向上する。【構成】 デヌーデッドゾーン2を形成した第1半導体基板に不純物(C+ )を打ち込み、ゲッタリングサイトとなる歪み領域3を第1半導体基板の表面近傍に形成した後、第1半導体基板の表面に熱酸化膜4を形成する。次に、第1半導体基板の表面と支持基板となる第2半導体基板5の表面を重ね合わせて貼り合わせる。その後、第1半導体基板を裏面から加工して薄膜化することによりSOI膜6を設け、SOI基板を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して半導体膜が形成されたSOI基板を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、第1半導体基板に不純物のイオン打ち込みにより歪み領域を形成する工程、前記第1半導体基板の表面に絶縁膜を形成する工程、前記第1半導体基板の表面と第2半導体基板の表面を貼り合わせる工程、前記第1半導体基板を薄膜化して半導体膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265