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J-GLOBAL ID：200903062895754391

半導体レーザ素子

Inventor： 粂 雅博 ,  木戸口 勲 ,  伴 雄三郎 ,  上山 智 ,  辻村 歩 ,  石橋 明彦 ,  長谷川 義晃 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001212979
Publication number (International publication number)：2002111137
Application date： Aug. 17, 1998
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】 低抵抗化を図る半導体レーザ素子のジャンクションダウン・ボンディングを容易に且つ確実に行なえるようにし、また、基板の劈開時のリッジ部を保護できるようにする。【解決手段】 基板11のエピタキシャル層における中央部には、n型半導体層12、活性層13及びp型半導体層14を含む凸状部からなる共振器形成部が形成されている。共振器形成部におけるp型半導体層14の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部14aが形成されている。共振器形成部の側方であって、n型半導体層12の露出部には、Ti/Alからなるn側電極16が形成されている。n側電極16のp側電極15側の領域、並びにp側電極15を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれSiNからなる絶縁膜17に覆われている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の主面上に順次形成された第1導電型の第1の半導体層、活性層及び第2導電型の第2の半導体層とからなる積層体と、前記積層体の上側部分に、前記第1の半導体層、活性層及び第2の半導体層を含むように形成された凸状部からなり、レーザ光の出射方向を規制する共振器形成部と、前記第1の半導体層の上における前記共振器形成部の側方に設けられた第1のレーザ電極と、前記共振器形成部の上部のほぼ中央部に互いに間隔をおいて形成され且つ出射方向に延びる一対の溝部同士の間に設けられたリッジ部と、前記リッジ部の上面に設けられた第2のレーザ電極とを備えていることを特徴とする半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 610 ,  H01S 5/022

FI (2)：

H01S 5/343 610 ,  H01S 5/022

F-Term (13)：

5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073AA84 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA28 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22