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J-GLOBAL ID：200903062911803837

薄膜トランジスタアレイ基板

Inventor： 助川 統
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 煤孫 耕郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163360
Publication number (International publication number)：1994347831
Application date： Jun. 08, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタアレイに付加される蓄積容量の容量値のバラツキを低減し、均一なアレイ特性を与える。【構成】 ゲートメタルによって下部電極、ドレイン・ソースメタルによって上部電極、ゲート絶縁膜を誘電体として、蓄積容量を形成している薄膜トランジスタアレイ基板。

Claim (excerpt)：

蓄積容量を有する薄膜トランジスタアレイ基板において、ゲートメタルを下部電極、ドレイン・ソースメタルを上部電極とし、ゲート絶縁膜を誘電体として、形成された蓄積容量を有することを特徴とする薄膜トランジスタアレイ基板。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-219824
  
• 特開平1-274116
  
• 特開平2-059729