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J-GLOBAL ID：200903062917238422
発光ダイオード
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
池田 治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997084177
Publication number (International publication number)：1998284756
Application date： Apr. 02, 1997
Publication date： Oct. 23, 1998
Summary：
【要約】【課題】発光層内への不純物拡散に起因する発光出力や信頼性の低下を抑制し得る発光ダイオードを提供する。【解決手段】第3クラッド層20と活性層16との間に、その第3クラッド層20よりも低いキャリア濃度で同様な不純物(Zn)がドーピングされた第2クラッド層18が設けられる。そのため、第3クラッド層20と活性層16との間に設けられたその第2クラッド層18によって、その第3クラッド層20内において結晶格子間に存在する不純物(Zn)が活性層16内に拡散することが抑制されると共に、その第2クラッド層18は第3クラッド層20よりもキャリア濃度が低くされてその内部において格子間に存在する不純物(Zn)量が第3クラッド層20よりも少なくされていることから、その第3クラッド層20が活性層16に直に接している場合よりも活性層16内に拡散する不純物(Zn)量が少なくされる。
Claim (excerpt)：
発光層と、該発光層を挟んで位置させられた所定の第1のキャリア濃度となるように第1の不純物がドーピングされた第1半導体層および所定の第2のキャリア濃度となるように第2の不純物がドーピングされた第2半導体層とを含む複数の化合物半導体層が積層されて成り、該複数の化合物半導体層の表面と裏面との間に通電することにより該発光層で発生した光を該表面から取り出す形式の発光ダイオードにおいて、前記第1半導体層と前記発光層との間に、前記第1のキャリア濃度よりも低い第3のキャリア濃度となるように前記第1の不純物がドーピングされた第3半導体層を設けたことを特徴とする発光ダイオード。
FI (2)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 B
