Pat

J-GLOBAL ID：200903062919243334

半導体装置

Inventor： 野田 祐久 ,  藤田 晃 ,  吉松 直樹 ,  竹原 誠
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 吉田 茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995278903
Publication number (International publication number)：1997129822
Application date： Oct. 26, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 トランスファー成形を用いることにより樹脂封止工程を簡略化するとともに、高価な部品を用いることなく製造コストを低減し、かつ電力用素子が発する熱の放熱効率を高めて、製品定格を向上した半導体装置を得る。【解決手段】 電力用素子101および制御用素子102は水平に配置されたリードフレーム103aおよび103b上の所定位置に配置されている。放熱板104の主面上にはエポキシ樹脂などで絶縁層105が形成され、絶縁層105の主面上には、所定の回路パターンに合わせて回路パターン層106が形成され、回路パターン層106の上にはリードフレーム103aおよび103bが配置されている。

Claim (excerpt)：

半導体装置であって、絶縁金属基板と、第1と第2の回路部を有し、前記絶縁金属基板上に設けられたリードフレームと、前記リードフレームの前記第1の回路部の上に設けられた電力用素子と、前記リードフレームの前記第2の回路部の上に設けられ、前記電力用素子を制御する制御用素子とを備え、前記絶縁金属基板は、前記半導体装置の動作時に前記電力用素子が発する熱を外部に放熱する放熱板と、前記放熱板の上主面の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記第1と第2の回路部にそれぞれ対応する第1と第2の回路パターンを有する回路パターン層とを有し、前記リードフレームの前記第1と第2の回路部が、前記第1および第2の回路パターン上にそれぞれ接合され、前記放熱板の下主面が露出するようにトランスファー成形により樹脂封止された半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56

FI (2)：

H01L 25/04 C ,  H01L 21/56 T